存储器总体上分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器断电后内部数据会丢失，非易失性存储器断电后数据也不会丢失。

易失性存储器包括SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）。

SRAM在通电状态下数据不会丢失，断电后即丢失，若要数据在系统断电后继续保存，需要在电路板上配置电池，在断电后对SRAM供电。 SRAM的数据存储速度非常快，价格比同等存储容量的DRAM高出很多。

                  静态随机存储器（SRAM）

        电路板断电后SRAM需要电池保存数据

DRAM在通电状态下需要控制电路来周期性刷新才能保持数据，DRAM多用在内存条上。

              内存条上的DRAM芯片

非易失性存储器包括带备用电源的NVRAM（非易失性RAM）、掩膜ROM、PROM（可编程ROM）、EPROM（紫外线可擦除可编程ROM）、EEPROM（电可擦可编程ROM）、FLASH MEMORY（闪存）、FRAM（铁电存储器）

NVRAM内置锂电池，电池和RAM芯片封装为一体，NVRAM无外部供电情况下可保留数据10年不丢失。此类芯片是可以从电路板上取下读取数据的。

      内置备用电源的NVRAM