IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管的简称，可看做前级MOSFET和后级大功率三极管（GTR）的组合， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的可通过大电流的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，在工控行业的变频器、伺服驱动器、大功率电源、逆变器等设备中已经广泛应用。

   根据应用需要，IGBT可以是单个，也可以多个做成一体。常见的是两个做成一体或6个做成一体，这便于组成直流电机或三相电机的驱动电路。

一个典型的IGBT模块的内部电路，此模块包括了6个三相桥式整流二极管，上桥臂三个IGBT驱动管，下桥臂三个IGBT驱动管，每个IGBT的C、E极都并联了一个续流二极管，给制动减速时电机线圈产生的高压提供回馈通路。模块还内置一个制动IGBT，用于迅速泄放能量；内置一个热敏电阻，监测模块内部温度。

IGBT的测量按照MOSFET的测量方法即可。对IGBT模块的测量，对内部元件可单个单个测量，每个都测试通过即可。IGBT的耐压测试可使用耐压测试仪或带耐压测试功能的晶体管测试仪。

IGBT模块是价格相对较高的电子元件，市面上有不少拆机模块，价格相对全新模块有优势，性能测试也都符合要求，维修中使用这些拆机模块也无可厚非，但有不良商家偷梁换柱，将电流值低一档次但外观一致的模块经过重新打磨贴标，冒充高一档电流的模块出售，这些模块工作在其额定电流内一般也不会出现问题，一旦电流高出额定值，往往造成炸机后果。笔者亲遇此情形数次，每每怀疑自己的维修技术水平。其实可有一法检定模块的额定电流水平，即测IGBT的栅极G对发射极E的结电容，电容量大则电流大，所以只要将购入模块和损坏模块的G、E结电容比较一下就可判断模块有无猫腻。